Проведены анализ и исследование материаловедческих и технологических факторов
при создании пленочных преобразователей, определены требования к материалам
и их свойствам, технологии формирования элементов преобразователя. Показано,
что учет материаловедческих и технологических факторов обеспечивает соответствие
параметров пленочного преобразователя с требуемыми, устойчивость к внешним
воздействующим факторам, получение пленок исходного состава, стабильность
технологии производства. Выбор параметров материалов производится с учетом
режимов и условий эксплуатации, статических и динамических нагрузок, действующих на элементы преобразователя, свойств исходных материалов и пленочных элементов. При сопряжении разнородных материалов учитывают коэффициенты линейного расширения. В процессе создания пленочных преобразователей исходные материалы, конструктивные элементы обрабатываются в различных технологических средах и подвергаются тепловым воздействиям, формируются заданные структуры и параметры пленочного преобразователя, и вместе с этим усиливаются несовершенства, имевшиеся в исходных материалах и элементах преобразователя, которые прямо или косвенно влияют на выходные параметры пленочного преобразователя. При изготовлении пленочных элементов преобразователя выбор метода получения тонких пленок определяется назначением пленки, совместимости метода с другими технологическими операциями микроэлектронной технологии. Воспроизводимость электрофизических свойств тонких пленок имеет место при их осаждении с контролируемым составом, что существенно при получении пленок на основе полупроводниковых соединений и формировании чувствительных элементов преобразователя. Анализ и исследования методов получения пленок показали, что энергетическая эффективность процесса ионного распыления материалов и получения тонких пленок заданного состава, технологическая гибкость, возможность регулирования толщины пленок путем изменения величины тока, времени осаждения и давления, при котором оно проводится, являются наиболее оптимальными.
The analysis and research of material science and technological factors in the creation of film converters is carried out, the requirements for materials and their properties, the technology for the formation of converter elements are determined. It is shown that taking into account materials science and technology factors ensures that the parameters of the film converter meet the required parameters, resistance to external factors, obtaining films of the original composition, and stability of the production technology. The choice of material parameters is made taking into account operating conditions and conditions, static and dynamic loads acting on the converter elements, the properties of the starting materials and film elements. When pairing dissimilar materials, linear expansion coefficients are taken into account. In the process of creating film converters, the starting materials, structural elements are processed in various technological environments and exposed to thermal influences, the specified structures and parameters of the film converter are formed, and at the same time, the imperfections in the starting materials and converter elements are amplified, which directly or indirectly affect the output parameters film converter. In the manufacture of film elements of the converter, the choice of the method for producing thin films is determined by the purpose of the film, the compatibility of the method with other technological operations of microelectronic technology. The reproducibility of the electrophysical properties of thin films takes place when they are deposited with a controlled composition, which is essential when producing films based on semiconductor compounds and the formation of sensitive elements of the transducer. Analysis and research of methods for producing films showed that the energy efficiency of the process of ion sputtering of materials and the production of thin films of a given composition, technological flexibility, the ability to control the thickness of the films by changing the current, deposition time and pressure at which it is carried out, are the most optimal.